anisotropic etch.control. Outros halocarbonos, assim como a presença de ar ou oxigênio, são prejudiciais ao controle do Tetrafluoreto, resultando em um controle superior do processo, o que resulta em melhor dimensional e perfil. Em condições de carbono ou CF2 de maior pureza, os radicais livres de flúor estão tipicamente na forma de CF3. O tetrafluoreto de carbono é relativamente inerte em condições normais e é um asfixiante. Sob processos de plasma de RF. O tetrafluoreto de carbono é usado com oxigênio para gravar polissilício, dióxido de silício e nitreto de silício. O tetrafluoreto de carbono é uma fonte de radicais livres de flúor ou fluoreto de carbono usados em uma variedade de gravações de wafer
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